Appropriate choice of the channel ratio in thin-film transistors for the exact determination of field-effect mobility
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Poster |
| Publikationsjahr | 2009 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 220077117 |
| HGF-Programm | 43.03.10 (POF II, LK 01) |
| Erscheinungsvermerk | Materials Research Society Fall Meeting, Boston, Mass., November 30 - December 4, 2009 |