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Appropriate choice of the channel ratio in thin-film transistors for the exact determination of field-effect mobility

Okamura, K.; Nikolova, D.; Mechau, N.; Hahn, H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Poster
Jahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 220077117
HGF-Programm 43.03.10 (POF II, LK 01)
Erscheinungsvermerk Materials Research Society Fall Meeting, Boston, Mass., November 30 - December 4, 2009
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