Charakterisierung von definiert erzeugten Defekten in Silicium Wafern

Wittge, J.; Danilewsky, A. N.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; McNally, P. J.; Vagovic, P.; Cecilia, A.; Li, Z. W.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M. R.

Charakterisierung von definiert erzeugten Defekten in Silicium Wafern

Wittge, J.; Danilewsky, A. N.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; McNally, P. J.; Vagovic, P.; Cecilia, A.; Li, Z. W.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M. R.

Export

Statistiken

Seitenaufrufe: 16
seit 11.03.2019

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp	Poster
Publikationsjahr	2009
Sprache	Deutsch
Identifikator	KITopen-ID: 220078221
HGF-Programm	55.51.20 (POF II, LK 02) Infrastr.u.Betrieb ANKA-Beschleunigeranl
Erscheinungsvermerk	Deutsche Kristallzüchtertagung, Jahrestagung der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK), Dresden, 4.-6.März 2009

Repository KITopen

Charakterisierung von definiert erzeugten Defekten in Silicium Wafern