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Improvement of lattice site distribution of Ga atoms implanted into Al after pulsed electron beam annealing

Hussain, T.; Geerk, J.; Linker, G.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Vortrag
Jahr 1980
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 230014276
Erscheinungsvermerk Fruehjahrstagung DPG, Festkoerperphysik, Freudenstadt, 24.-28.Maerz 1980. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, Bd 15(1980)
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