Improvement of lattice site distribution of Ga atoms implanted into Al after pulsed electron beam annealing
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Kernphysik (IAK) |
| Publikationstyp | Vortrag |
| Publikationsjahr | 1980 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 230014276 |
| Erscheinungsvermerk | Fruehjahrstagung DPG, Festkoerperphysik, Freudenstadt, 24.-28.Maerz 1980. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, Bd 15(1980) |