Comparison between laser and electron beam pulsed annealing of silicon layers heavily doped by low speed molecular ions

Muller, J. C.; Siffert, P.; Geerk, J.; Meyer, O.

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp	Vortrag
Publikationsjahr	1980
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 230014951
Erscheinungsvermerk	Internat.Conf.on Laser and Electron-Beam Processing of Materials, Boston, Mass., October 1980