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Comparison between laser and electron beam pulsed annealing of silicon layers heavily doped by low speed molecular ions

Muller, J.C.; Siffert, P.; Geerk, J.; Meyer, O.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Vortrag
Jahr 1980
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 230014951
Erscheinungsvermerk Internat.Conf.on Laser and Electron-Beam Processing of Materials, Boston, Mass., October 1980
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