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A comparison of pulsed electron beam- and thermal annealing of Cu and Ga implanted Al single crystals

Hussain, T.; Linker, G.



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seit 31.05.2018
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Vortrag
Jahr 1981
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 230016179
Erscheinungsvermerk Material Modification by Directed Energy Processing. NATO Institute on Surface Modification and Alloying, Trevi, I, August 24-28, 1981
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