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Solid phase epitaxy of Ga and P implanted silicon by rapid thermal annealing

Vescan, L.; Splettstoesser, J.; Maier, M.; Meyer, O.; Beneking, H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Publikationstyp Vortrag
Jahr 1985
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 230021157
Erscheinungsvermerk 5th General Conf.of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, Berlin, March 18-22, 1985
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