Solid phase epitaxy of Ga and P implanted silicon by rapid thermal annealing

Vescan, L.; Splettstoesser, J.; Maier, M.; Meyer, O.; Beneking, H.

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Publikationstyp	Vortrag
Publikationsjahr	1985
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 230021157
Erscheinungsvermerk	5th General Conf.of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, Berlin, March 18-22, 1985