Erhoehung der Stromdichten in Nb₃Sn-Draehten durch Nb/Ta-Verbundstruktur im Nanometerbereich ('artificial pinning')
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Technische Physik (ITEP) |
| Publikationstyp | Vortrag |
| Publikationsjahr | 1990 |
| Sprache | Deutsch |
| Identifikator | KITopen-ID: 230028739 |
| HGF-Programm | 03.03.06 (Vor POF, LK 01) |
| Erscheinungsvermerk | Fruehjahrstagung DPG, Festkoerperphysik, Duenne Schichten, Dynamik und Statistische Physik, Halbleiterphysik, Magnetismus, Metallphysik, Oberflaechenphysik, Tiefe Temperaturen, Vakuumtechnik, Molekuelphysik, Physikausstellung, Regensburg, 26.-30.Maerz, 1990 Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, Bd.25 (1990) TT-4.10 |