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Erhoehung der Stromdichten in Nb₃Sn-Draehten durch Nb/Ta-Verbundstruktur im Nanometerbereich ('artificial pinning')

Klemm, M.; Specking, W.; Fluekiger, R.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Technische Physik (ITEP)
Publikationstyp Vortrag
Publikationsjahr 1990
Sprache Deutsch
Identifikator KITopen-ID: 230028739
HGF-Programm 03.03.06 (Vor POF, LK 01)
Erscheinungsvermerk Fruehjahrstagung DPG, Festkoerperphysik, Duenne Schichten, Dynamik und Statistische Physik, Halbleiterphysik, Magnetismus, Metallphysik, Oberflaechenphysik, Tiefe Temperaturen, Vakuumtechnik, Molekuelphysik, Physikausstellung, Regensburg, 26.-30.Maerz, 1990 Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, Bd.25 (1990) TT-4.10
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