Einfluß der Herstellungsparameter auf die Eigenschaften von Einzelelektronentransistoren aus Al/Al₂O₃/Al-Strukturen
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT) Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP) |
| Publikationstyp | Vortrag |
| Publikationsjahr | 1998 |
| Sprache | Deutsch |
| Identifikator | KITopen-ID: 230042827 |
| HGF-Programm | 34.01.01 (Vor POF, LK 01) |
| Erscheinungsvermerk | 62.Physikertagung gemeinsam mit der Frühjahrstagung DPG, Regensburg, 23.-27.März 1998 Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, Bd.33 (1998) TT 10.5 |