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Annealing behaviour, precipitate formation and electrical conductivity of ion implanted TiO₂-single crystals

Fromknecht, R.; Linker, G.; Meyer, O.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Vortrag
Publikationsjahr 2000
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 230047552
HGF-Programm 34.01.02 (Vor POF, LK 01)
Erscheinungsvermerk Romanian Conf.on Advanced Materials (RoCAM 2000), Bucuresti, R, October 23-25, 2000
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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