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The influence of SiO₂ dielectric interface modification on ambipolar transport in Pentacene TFTs

Benson, N.; Ahles, M.; Mayer, T.; Mankel, E.; Gassmann, A.; Schmechel, R.; Seggern, H.von



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Vortrag
Jahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 230063917
HGF-Programm 43.02.02; LK 01
Erscheinungsvermerk DPG Spring Meeting of the Divison Condensed Matter, 21st General Conf.of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, Dresden, March 26-31, 2006 Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, B.41(2006) CPP 23.27
URLs Abstract (PDF)
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