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The influence of SiO₂ dielectric interface modification on ambipolar transport in Pentacene TFTs

Benson, N.; Ahles, M.; Mayer, T.; Mankel, E.; Gassmann, A.; Schmechel, R.; Seggern, H.von



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Vortrag
Publikationsjahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 230063917
HGF-Programm 43.02.02 (POF I, LK 01)
Molekulare Bausteine
Erscheinungsvermerk DPG Spring Meeting of the Divison Condensed Matter, 21st General Conf.of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, Dresden, March 26-31, 2006 Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, B.41(2006) CPP 23.27
Externe Relationen Abstract/Volltext
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