The influence of SiO₂ dielectric interface modification on ambipolar transport in Pentacene TFTs
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Vortrag |
| Publikationsjahr | 2006 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 230063917 |
| HGF-Programm | 43.02.02 (POF I, LK 01) Molekulare Bausteine |
| Erscheinungsvermerk | DPG Spring Meeting of the Divison Condensed Matter, 21st General Conf.of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, Dresden, March 26-31, 2006 Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, B.41(2006) CPP 23.27 |
| Externe Relationen | Abstract/Volltext |