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Electrochemically-gated field-effect transistor with indium tin oxide nanoparticles as active layer

Dasgupta, S.; Gottschalk, S.; Kruk, R.; Hahn, H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Vortrag
Jahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 230071572
HGF-Programm 43.03.04; LK 01
Erscheinungsvermerk 9th Internat.Conf.on Nanostructured Materials (NANO 2008), Rio de Janeiro, BR, June 1-6, 2008
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