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Electrochemically-gated field-effect transistor with indium tin oxide nanoparticles as active layer

Dasgupta, S.; Kruk, R.; Hahn, H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Vortrag
Jahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 230075113
HGF-Programm 43.03.04 (POF II, LK 01)
Erscheinungsvermerk Frühjahrstagung DPG, Fachverband Metall- und Materialphysik, Dresden, 22.-27.März 2009 Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, B.44(2009) MM 8.4
Externe Relationen Volltext/Abstract
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