In-situ observation of dislocations in Si at high temperatures wiht white beam X-ray topography

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; Vagovic, P.; Cecilia, A.; Li, Z. J.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M.

In-situ observation of dislocations in Si at high temperatures wiht white beam X-ray topography

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; Vagovic, P.; Cecilia, A.; Li, Z. J.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M.

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp	Vortrag
Publikationsjahr	2009
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 230078194
HGF-Programm	55.51.20 (POF II, LK 02) Infrastr.u.Betrieb ANKA-Beschleunigeranl
Erscheinungsvermerk	17. Jahrestagung der Deutschen Gesellschaft für Kristallographie (DGK), Hannover, 9.-12.März 2009

Repository KITopen

In-situ observation of dislocations in Si at high temperatures wiht white beam X-ray topography