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Appropriate choice of channel ratio in thin-film transistors for the exact determination of field-effect mobility

Okamura, K.; Nikolova, D.; Mechau, N.; Hahn, H.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Vortrag
Publikationsjahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 230080405
HGF-Programm 43.12.02 (POF II, LK 01) Tuneable properties of nanomaterials
Erscheinungsvermerk Frühjahrstagung DPG, Fachverband Halbleiterphysik, Regensburg, 21.-26.März 2010 Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, R.6, B.45(2010) HL 66.4
Externe Relationen Abstract/Volltext
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