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Atomically precise semiconductor-graphene and hBN interfaces by Ge intercalation

Verbitskiy, N. I.; Fedorov, A. V.; Profeta, G.; Stroppa, A.; Petaccia, L.; Senkovskiy, B.; Nefedov, A.; Wöll, C.; Yu, D.; Usachov, D. V.; Vyalikh, D. V.; Yashina, L. V.; Eliseev, A. A.; Pichler, T.; Grüneis, A.


Volltext §
DOI: 10.5445/IR/230102033
BibTeX (UTF-8) BibTeX (ASCII) EndNote/Refer (.enw) RIS CSL-JSON ISI
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp Vortrag
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 230102033
HGF-Programm 43.21.03 (POF III, LK 01) Carbon Nanosystems
Veranstaltung 16th International Conference on X-Ray Absorption Fine Structure (XAFS16), Karlsruhe, August 23-28, 2015
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