An X-ray topographic analysis of the crystal quality of globally available SiC wafers

Brazil, I.; McNally, P. J.; Ren, N.; O'Reilly, L.; Danilewsky, A.; Tuomi, T. O.; Lankinen, A.; Säynätjaki, A.; Simon, R.; Soloviev, S.; Rowland, L. B.; Sandvik, P. M.

An X-ray topographic analysis of the crystal quality of globally available SiC wafers

Brazil, I.; McNally, P. J.; Ren, N.; O'Reilly, L.; Danilewsky, A.; Tuomi, T. O.; Lankinen, A.; Säynätjaki, A.; Simon, R.; Soloviev, S.; Rowland, L. B.; Sandvik, P. M.

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp	Vortrag
Publikationsjahr	2008
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 240074287
HGF-Programm	43.01.05 (POF I, LK 01) Charakterisierung u.Zuverlässigkeit
Erscheinungsvermerk	Wright, N. [Hrsg.] Silicon Carbide and Related Materials 2006 : Proc.of the 6th European Conf.on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, GB, September 3-7, 2006 Stafa-Zuerich : Trans Tech Publ., 2007 (Materials Science Forum ; 556-557)

Repository KITopen

An X-ray topographic analysis of the crystal quality of globally available SiC wafers