KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Tunneling properties of Al doped MgB₂ thin film junctions

Zaitsev, A. G.; Schneider, R.; Geerk, J.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Vortrag
Publikationsjahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 240074705
HGF-Programm 52.01.01 (POF II, LK 01) Elektr.Eigenschaften.Magnetismus u.SL
Erscheinungsvermerk 9th European Conf.on Applied Superconductivity (EUCAS'09), Dresden, September 13-17, 2009
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page