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Electrochemically-gated field-effect transistor with indium tin oxide nanoparticles as active layer

Dasgupta, S.; Dehm, S.; Kruk, R.; Hahn, H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Vortrag
Jahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 240075830
HGF-Programm 43.03.10 (POF II, LK 01)
Erscheinungsvermerk Breaking Frontiers: Submicron Structures in Physics and Biology : 42nd Zakopane School of Physics, Zakopane, PL, May 19-24, 2008
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