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Dislocation generation related to microcrakcs in Si-wafers: High temperature in-situ study with white beam X-ray topography

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; McNally, P. J.; Vagovic, P.; Cecilia, A.; Li, Z.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Vortrag
Publikationsjahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 240078195
HGF-Programm 55.51.20 (POF II, LK 02) Infrastr.u.Betrieb ANKA-Beschleunigeranl
Erscheinungsvermerk European Materials Research Society Spring Meeting, Strasbourg, F, May 8-12, 2009
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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