Dislocation generation related to microcrakcs in Si-wafers: High temperature in-situ study with white beam X-ray topography

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; McNally, P. J.; Vagovic, P.; Cecilia, A.; Li, Z.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M.

Dislocation generation related to microcrakcs in Si-wafers: High temperature in-situ study with white beam X-ray topography

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; McNally, P. J.; Vagovic, P.; Cecilia, A.; Li, Z.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M.

Export

Statistiken

Seitenaufrufe: 37
seit 11.03.2019

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp	Vortrag
Publikationsjahr	2009
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 240078195
HGF-Programm	55.51.20 (POF II, LK 02) Infrastr.u.Betrieb ANKA-Beschleunigeranl
Erscheinungsvermerk	European Materials Research Society Spring Meeting, Strasbourg, F, May 8-12, 2009

Repository KITopen

Dislocation generation related to microcrakcs in Si-wafers: High temperature in-situ study with white beam X-ray topography