Influence of metalorganic chemical vapor deposition growth conditions on In-rich nanoislands formation in InGaN/GaN structures

Musikhin, Yu. G.; Gerthsen, Dagmar; Bedarev, D. A.; Bert, N. A.; Lundin, W. V.; TSATSUL'NIKOV, A. F.; Sakharov, A. V.; Usikov, A. S.; Alferov, Th. I.; Krestnikov, I. L.; Ledentov, N. N.; Hoffmann, Axel; Bimberg, Dieter

Influence of metalorganic chemical vapor deposition growth conditions on In-rich nanoislands formation in InGaN/GaN structures

Musikhin, Yu. G.; Gerthsen, Dagmar; Bedarev, D. A.; Bert, N. A.; Lundin, W. V.; TSATSUL'NIKOV, A. F.; Sakharov, A. V.; Usikov, A. S.; Alferov, Th. I.; Krestnikov, I. L.; Ledentov, N. N.; Hoffmann, Axel; Bimberg, Dieter

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2002
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0003-6951 KITopen-ID: 24702002
Erschienen in	Applied physics letters
Verlag	American Institute of Physics (AIP)
Band	80
Seiten	2099/3

Repository KITopen

Influence of metalorganic chemical vapor deposition growth conditions on In-rich nanoislands formation in InGaN/GaN structures