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Tight-binding simulation of an InGaN/GaN quantum well with indium concentration fluctuations

Gleize, J.; Di Carlo, A.; Lugli, P.; Jancu, J. M.; Scholz, R.; Ambacher, Oliver; Gerthsen, Dagmar; Hahn, Eike


Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2002
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1610-1634
KITopen-ID: 24852002
Erschienen in Physica status solidi C
Verlag John Wiley and Sons
Band 0
Heft 1
Seiten 289
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