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Analysis of Silicon Nitride Layers Deposited from SiH₄ and N₂ on Silicon

Meyer, O.; Scherber, W.


Volltext §
DOI: 10.5445/IR/270003863
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Forschungsbericht/Preprint
Publikationsjahr 1971
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 270003863
Reportnummer: KFK-1491
Erscheinungsvermerk Journal of Physics and Chemistry of Solids, 32(1971) KFK-1491 (August 71)
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