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Analysis of Rb and Cs Implantations in Silicon by Channelling and Hall Effect Measurements

Meyer, O.; Mayer, J.W.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Forschungsbericht
Jahr 1970
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 270003864
Reportnummer: KFK-1341
Erscheinungsvermerk Solid State Electronics, 13(1970) KFK-1341 (Dezember 70)
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