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Impurity Incorporation during rf Sputtering of Silicon Oxide Layers

Petersson, S.; Linker, G.; Meyer, O.

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DOI: 10.5445/IR/270006098
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seit 03.05.2018
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seit 04.10.2016
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Forschungsbericht
Jahr 1972
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 270006098
Reportnummer: KFK-1525
Erscheinungsvermerk Physica status solidi (a), 14(1972) KFK-1525 (April 72 - April 73)
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