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Computer simulation of channelling measurements on V₃Si single crystals

Kaufmann, R.; Meyer, O.

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Volltext §
DOI: 10.5445/IR/270013667
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Forschungsbericht
Jahr 1979
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 270013667
Reportnummer: KFK-2859
Erscheinungsvermerk Radiation Effects, 40(1979) Sonderdruck in KfK-2859 (Oktober 79)
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