Photoelectrochemical characterization of P- and N-doped single crystalline silicon carbide and photoinduced reductive dehalogenation of organic pollutants at P-doped silicon carbide
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Engler-Bunte-Institut (EBI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2001 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0013-4686 KITopen-ID: 27002001 |
| Erschienen in | Electrochimica Acta |
| Verlag | Elsevier |
| Band | 47 |
| Heft | 5 |
| Seiten | 719-727 |