Extreme ultraviolet (EUV) sources for lithography based on synchrotron radiation

Extreme Ultraviolett (EUV) Strahlungsquellen für die Lithographie basierend auf Synchrotron Strahlung
Die vorliegende Studie beschreibt Überlegungen, Synchrotron Strahlung als Quelle für die Lithographie der nächsten Generation (Next Generation Lithography: NGL) basierend auf EUV Strahlungzu verwenden (EUV bedeutet hier Strahlung mit einer Wellenlänge von 13.5 oder 11.3 nm). Die Anforderungen an die Quelle sind: 50 W, 2% Bandbreite und geringe Leistung außerhalb dieser Bandbreite.Es wurden drei Möglichkeiten untersucht. Die ersten beiden beziehen sich auf die Strahlung, die von Ablenkmagneten und Undulatoren erzeugt wird. ... mehrDie Resultate bestätigen frühere Untersuchungen, die zum Beispiel von Oxford Instruments and anderen durchgeführt wurden, daß diese Quellen nur ungenügend hohe Strahlungsleistungen innerhalb des 2% Bandes erzeugen während die erzeugte Leistung ausserhalb dieses Bandes sehr hoch ist. Als dritte Möglichkeit wurde ein Free Electron Laser (FEL) untersucht bestehend aus einem 500 MeV Linearbeschleuniger und einenm supraleitenden Mini-Undulator. Eine solche Anordnung könnte eine Strahlleistung von über 50 W innerhalb des 2 % Bandes erzeugen bei vernachläßigbarerLeistung außerhalb dieses Bandes.

The study presented here was initiated by a discussion to investigate the possibility of using synchrotron radiation as a source for the Next Generation Lithography (NGL) based on the EUV-concept (Extreme Ultra-Violet; here 13.5 nm or 11.3 nm radiation, respectively). The requirements are: 50 W, 2% bandwidth and minimal power outside this bandwidth. Three options were investigated. The first two deal with radiation from bending magnets and undulators. The results confirm the earlier work by Oxfords Instrument and others that these light-sources lack in-band power while emitting excessive out-of-band radiation. ... mehrThe third approach is a FEL (Free Electron Laser) driven by a 500 MeV linear accelerator with a superconducting mini-undulator as radiation emitting device. Such a device would produce in-band EUV-power in excess of 50 W with negligible out-of-band power.