LP-MOCVD growth of GaN on silicon substrates - comparison between AlAs and ZnO nucleation layers

Strittmatter, A.; Krost, Alois; Tuerck, Volker; Strassburg, Martin; Bimberg, Dieter; Blaesing, J.; Hempel, T.; Christen, Jürgen; Neubauer, Brigitte; Gerthsen, Dagmar

LP-MOCVD growth of GaN on silicon substrates - comparison between AlAs and ZnO nucleation layers

Strittmatter, A.; Krost, Alois; Tuerck, Volker; Strassburg, Martin; Bimberg, Dieter; Blaesing, J.; Hempel, T.; Christen, Jürgen; Neubauer, Brigitte; Gerthsen, Dagmar

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1999
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 274699
Erscheinungsvermerk	Mater. sci. and engng. B 59 (1998) S. 29.

Repository KITopen

LP-MOCVD growth of GaN on silicon substrates - comparison between AlAs and ZnO nucleation layers