Influence of the first preparation steps on the properties of GaN layers grown on 6H-SiC by MBE

Lantier, Roberta; Rizzi, Angela; Guggi, D.; Lueth, Hans; Neubauer, Brigitte; Gerthsen, Dagmar; Frabboni, Stefano; Coli, G.; Cingolani, R.

Seitenaufrufe: 30
seit 19.11.2020

Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Buch
Publikationsjahr	1999
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 276299
Erscheinungsvermerk	MRS internet j. of nitride semiconductor res. [online] 4S1 (1999) G3.50.
Externe Relationen	Siehe auch