Disorder, electron-electron interactions and the metal-insulator transition in heavily doped Si:P
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Physikalisches Institut (PHI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2000 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 30402000 |
| Erscheinungsvermerk | Advances in solid state phys. 40 (2000) S. 143-167. |