Conductivity of heavily doped Si:P under uniaxial stress
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Physikalisches Institut (PHI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2000 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 30582000 |
| Erscheinungsvermerk | Ann. d. Phys. 9 (2000) S. 75-82. |
| Bemerkung zur Veröffentlichung | Sonderdrucknummer 2001S98 |