InGaN composition and growth rate during the early stages of MOCVD deposition
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Physik (APH) Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2001 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0003-6951 KITopen-ID: 8112001 |
| Erschienen in | Applied physics letters |
| Verlag | American Institute of Physics (AIP) |
| Band | 79 |
| Heft | 16 |
| Seiten | 2552-2554 |