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InGaN composition and growth rate during the early stages of MOCVD deposition

Gerthsen, Dagmar; Neubauer, Brigitte; Rosenauer, Andreas; Stephan, T.; Kalt, Heinz; Schoen, O.; Heuken, Michael



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Physik (APH)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2001
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951
KITopen ID: 8112001
Erschienen in Applied physics letters
Band 79
Heft 16
Seiten 2552-2554
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