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Specifics of MOCVD formation of InGaN inclusions in a GaN matrix

Soshnikov, I.P.; Ludin, V.V.; Usikov, A.S.; Kalmykova, A.S.; Ledentsov, Nikolai N.; Rosenauer, Andreas; Neubauer, Brigitte; Gerthsen, Dagmar



Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2000
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 8822000
Erscheinungsvermerk Semiconductors 34 (2000) S. 621.
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