Specifics of MOCVD formation of InGaN inclusions in a GaN matrix

Soshnikov, I. P.; Ludin, V. V.; Usikov, A. S.; Kalmykova, A. S.; Ledentsov, Nikolai N.; Rosenauer, Andreas; Neubauer, Brigitte; Gerthsen, Dagmar

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2000
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 8822000
Erscheinungsvermerk	Semiconductors 34 (2000) S. 621.