High-precision determination of the temperature dependent band gap shrinkage due to electron-phonon interaction in GaAs
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Physik (APH) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2000 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 9542000 |
| Erscheinungsvermerk | Phys. rev. B 61 (2000) S. 15812-15816. |