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DOI: 10.5445/KSP/1000004373
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Broadband amplifiers for high data rates using InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors

Schneider, Karl

Abstract:
This work describes the development process of state-of-the-art electrical broadband amplifiers, which are suitable as modulator drivers in electrical time division multiplex (ETDM) systems, operating at 80 Gbit/s. The realization is successfully accomplished in three major development steps: optimization of the transistor geometry of InP-based Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBT), extraction of large- and small-signal models, and design and realization of lumped and distributed amplifiers.


Zugehörige Institution(en) am KIT Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT)
Publikationstyp Hochschulschrift
Jahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 3-86644-021-9
URN: urn:nbn:de:0072-43735
KITopen-ID: 1000004373
Verlag Universitätsverlag Karlsruhe, Karlsruhe
Umfang VI, 132 S.
Abschlussart Dissertation
Fakultät Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT)
Prüfungsdaten 16.01.2006
Referent/Betreuer Prof. G. Weimann
Schlagworte bipolar transistor amplifier , distributed amplifier , hetojunction bipolar transistor , transistor model , transistor optimization
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