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Full counting statistics for a single-electron transistor: nonequilibrium effects at intermediate conductance

Utsumi, Y.; Golubev, D. S.; Schön, G.


Volltext §
DOI: 10.5445/IR/1000006848
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Theoretische Festkörperphysik (TFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0031-9007
urn:nbn:de:swb:90-68489
KITopen-ID: 1000006848
Erschienen in Physical Review Letters
Verlag American Physical Society (APS)
Band 96
Heft 8
Seiten 86803/ 1 - 4
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