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Vorstellung eines QM/MM-Simulationsmodells zur Berechnung der elektronischen Eigenschaften von organischen Donor-Akzeptor-Grenzflächen

Fuchs, Andreas

Abstract:

In dieser Arbeit wurden die Grenzflächeneigenschaften organischer Donor-Akzeptor-Systeme, welche auf kleinen Molekülen basieren, im Rahmen von Simulationsrechnungen untersucht. Hierzu wurde ein kombinierter quantenmechanischer und molekularmechanischer (QM/MM) Ansatz entwickelt, der sowohl in der Lage ist, die Polarisation der Moleküle an der Grenzfläche auf Kraftfeld-Ebene als auch auf quantenmechanischer Ebene zu berücksichtigen.


Volltext §
DOI: 10.5445/IR/1000029173
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Physikalische Chemie (IPC)
Publikationstyp Hochschulschrift
Publikationsjahr 2012
Sprache Deutsch
Identifikator urn:nbn:de:swb:90-291730
KITopen-ID: 1000029173
Verlag Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Art der Arbeit Dissertation
Fakultät Fakultät für Chemie und Biowissenschaften (CHEM-BIO)
Institut Institut für Physikalische Chemie (IPC)
Prüfungsdaten 20.07.2012
Schlagwörter QM/MM, Organische Solarzellen, Grenzflächeneigenschaften, Donor-Akzeptor-Grenzfläche, Elektronische Eigenschaften
Referent/Betreuer Klopper, W.
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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