Irreversibility on the Level of Single-Electron Tunneling

Küng, B.; Rössler, C.; Beck, M.; Marthaler, M.; Golubev, D. S.; Utsumi, Y.; Ihn, T.; Ensslin, K.

doi:10.1103/PhysRevX.2.011001

Irreversibility on the Level of Single-Electron Tunneling

Küng, B.; Rössler, C.; Beck, M.; Marthaler, M. ¹; Golubev, D. S. ²; Utsumi, Y.; Ihn, T.; Ensslin, K.
¹ Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
² Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

KITopen-Download

Verlagsausgabe

DOI: 10.5445/IR/1000035289

Veröffentlicht am 17.05.2018

Externe Links

Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevX.2.011001

Scopus
Zitationen: 83

Web of Science
Zitationen: 95

Dimensions
Zitationen: 114

Export

Statistiken

Seitenaufrufe: 164
seit 27.04.2018

Downloads: 197
seit 04.06.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Nanotechnologie (INT) Institut für Theoretische Festkörperphysik (TFP)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2012
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 2160-3308 urn:nbn:de:swb:90-352899 KITopen-ID: 1000035289
HGF-Programm	43.11.02 (POF II, LK 01) Electronic transport in nanostructures
Erschienen in	Physical Review X
Verlag	American Physical Society (APS)
Band	2
Heft	1
Seiten	011001/1-6
Nachgewiesen in	Scopus Dimensions Web of Science

Repository KITopen

Irreversibility on the Level of Single-Electron Tunneling