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Memory effects in electrochemically gated metallic point contacts

Maul, R. 1,2; Xie, F.-Q. 2,3,4; Obermair, C. 2,3,4; Schön, G. 2,4; Schimmel, T. 2,3,4; Wenzel, W. 2,4
1 Scientific Computing Center (SCC), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Angewandte Physik (APH), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
4 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Postprint §
DOI: 10.5445/IR/1000035302
Veröffentlicht am 03.01.2023
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4719207
Scopus
Zitationen: 9
Web of Science
Dimensions
Zitationen: 10
BibTeX (UTF-8) BibTeX (ASCII) EndNote/Refer (.enw) RIS CSL-JSON ISI
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Institut für Theoretische Festkörperphysik (TFP)
Scientific Computing Center (SCC)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951
KITopen-ID: 1000035302
HGF-Programm 43.11.03 (POF II, LK 01) Molecular building blocks
Erschienen in Applied Physics Letters
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Band 100
Heft 20
Seiten 203511/1-5
Nachgewiesen in Web of Science
Dimensions
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