Zugehörige Institution(en) am KIT | Lichttechnisches Institut (LTI) |
Publikationstyp | Hochschulschrift |
Publikationsjahr | 2013 |
Sprache | Englisch |
Identifikator | ISBN: 978-3-7315-0083-4 urn:nbn:de:0072-360983 KITopen-ID: 1000036098 |
Verlag | KIT Scientific Publishing |
Umfang | 212 S. |
Art der Arbeit | Dissertation |
Fakultät | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT) |
Institut | Lichttechnisches Institut (LTI) |
Prüfungsdaten | 10.07.2013 |
Schlagwörter | Silicon Carbide, high voltage, high frequency, gate drive, low inductance |
Referent/Betreuer | Heering, W. |