| Zugehörige Institution(en) am KIT | Lichttechnisches Institut (LTI) |
| Publikationstyp | Hochschulschrift |
| Publikationsjahr | 2013 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISBN: 978-3-7315-0083-4 urn:nbn:de:0072-360983 KITopen-ID: 1000036098 |
| Verlag | KIT Scientific Publishing |
| Umfang | 212 S. |
| Art der Arbeit | Dissertation |
| Fakultät | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT) |
| Institut | Lichttechnisches Institut (LTI) |
| Prüfungsdaten | 10.07.2013 |
| Schlagwörter | Silicon Carbide, high voltage, high frequency, gate drive, low inductance |
| Nachgewiesen in | OpenAlex |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung | |
| Referent/Betreuer | Heering, W. |