Analyse und Simulation parasitärer Effekte in flüssig prozessierten organischen Transistoren
Abstract:
Ein SPICE Modell für organische Transistoren wird implementiert und um parasitäre Effekte (Gate-Leckströme, Prozessschwankungen, Kontaktwiderstände und Temperatureffekte) erweitert. Ebenfalls wird der Einfluss von Schichtdickenvariation von Halbleiter und Dielektrikum auf das Transistorverhalten untersucht. Die Qualität der optimierten Simulation wird am Beispiel eines Ringoszillators bei Temperaturen zwischen 15°C und 75°C demonstriert.
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Lichttechnisches Institut (LTI) |
| Publikationstyp | Hochschulschrift |
| Publikationsjahr | 2015 |
| Sprache | Deutsch |
| Identifikator | urn:nbn:de:swb:90-460323 KITopen-ID: 1000046032 |
| Verlag | Karlsruher Institut für Technologie (KIT) |
| Art der Arbeit | Dissertation |
| Fakultät | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT) |
| Institut | Lichttechnisches Institut (LTI) |
| Prüfungsdaten | 23.02.2015 |
| Schlagwörter | Organische Elektronik, organic electronics, Transistor, OTFT |
| Referent/Betreuer | Lemmer, U. |