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Analyse und Simulation parasitärer Effekte in flüssig prozessierten organischen Transistoren

Hengen, Stefan

Abstract:
Ein SPICE Modell für organische Transistoren wird implementiert und um parasitäre Effekte (Gate-Leckströme, Prozessschwankungen, Kontaktwiderstände und Temperatureffekte) erweitert. Ebenfalls wird der Einfluss von Schichtdickenvariation von Halbleiter und Dielektrikum auf das Transistorverhalten untersucht. Die Qualität der optimierten Simulation wird am Beispiel eines Ringoszillators bei Temperaturen zwischen 15°C und 75°C demonstriert.

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Volltext §
DOI: 10.5445/IR/1000046032
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Zugehörige Institution(en) am KIT Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp Hochschulschrift
Jahr 2015
Sprache Deutsch
Identifikator urn:nbn:de:swb:90-460323
KITopen-ID: 1000046032
Verlag KIT, Karlsruhe
Abschlussart Dissertation
Fakultät Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT)
Institut Lichttechnisches Institut (LTI)
Prüfungsdaten 23.02.2015
Referent/Betreuer Prof. U. Lemmer
Schlagworte Organische Elektronik, organic electronics, Transistor, OTFT
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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