Channel Geometry Scaling Effect in Printed Inorganic Electrolyte-Gated Transistors
Rasheed, Farhan; Rommel, Manuel; Marques, Gabriel Cadilha; Wenzel, Wolfgang; Tahoori, Mehdi B.; Aghassi-Hagmann, Jasmin
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 04.2021 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0018-9383, 1557-9646 KITopen-ID: 1000130678 |
| HGF-Programm | 43.31.02 (POF IV, LK 01) Devices and Applications |
| Erschienen in | IEEE transactions on electron devices |
| Verlag | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| Band | 68 |
| Heft | 4 |
| Seiten | 1866 - 1871 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science Dimensions |