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Channel Geometry Scaling Effect in Printed Inorganic Electrolyte-Gated Transistors

Rasheed, Farhan; Rommel, Manuel; Marques, Gabriel Cadilha; Wenzel, Wolfgang; Tahoori, Mehdi B.; Aghassi-Hagmann, Jasmin ORCID iD icon


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/TED.2021.3058929
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Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 04.2021
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0018-9383, 1557-9646
KITopen-ID: 1000130678
HGF-Programm 43.31.02 (POF IV, LK 01) Devices and Applications
Erschienen in IEEE transactions on electron devices
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Band 68
Heft 4
Seiten 1866 - 1871
Nachgewiesen in Scopus
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