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Characterization and compact modeling of printed electrolyte-gated thin film transistors and circuits

Feng, Xiaowei

Abstract:

Die Herstellung konventioneller Elektronik ist ein hochkomplexer Prozess, der hohe Kosten erfordert. In diesem Zusammenhang gewinne die gedruckte Elektronik sowohl in der Wissenschaft als auch in der Industrie eine erhöhte Aufmerksamkeit. Der Hauptgrund dafür ist die Vereinfachung des Herstellungsprozesses durch additive Drucktechnologien wie Inkjet-Druck. Dies hat Vorteile wie die bedarfsgerechte Herstellung und minimaler Materialverbrauch. Außerdem wird eine vielfältige Auswahl verschiedener Substratmaterialien ermöglicht. Im Zentrum der Entwicklung von Schaltungen auf Basis gedruckter Elektronik stehen gedruckte Transistoren. ... mehr

Abstract (englisch):

The manufacturing of conventional electronics has become a highly complicated process, which requires intensive investment. In this context, printed electronics keeps attracting attention from both academia and industry. The primary reason is the simplification of the manufacturing process via additive printing technology such as ink-jet printing. Consequently, advantages are realized such as on-demand fabrication, minimal material waste and versatile choice of substrate materials. Central to the development of printed electronic circuits are printed transistors. Recently, metal oxide semiconductors such as indium oxide have become promising materials for the fabrication of printed transistors due to their high charge mobility. ... mehr


Volltext §
DOI: 10.5445/IR/1000137975
Veröffentlicht am 30.09.2021
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Hochschulschrift
Publikationsdatum 30.09.2021
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 1000137975
HGF-Programm 43.31.02 (POF IV, LK 01) Devices and Applications
Verlag Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Umfang 13, ix, 126 S.
Art der Arbeit Dissertation
Fakultät Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT)
Institut Institut für Nanotechnologie (INT)
Prüfungsdatum 30.07.2021
Referent/Betreuer Lemmer, U.
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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