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Tunable Multi-Bit Nonvolatile Memory Based on Ferroelectric Field-Effect Transistors

Zhang, Q.; Xiong, H.; Wang, Q.; Xu, L.; Deng, M.; Zhang, J.; Fuchs, D.; Li, W.; Shang, L.; Li, Y.; Hu, Z.; Chu, J.


Postprint §
DOI: 10.5445/IR/1000141899
Veröffentlicht am 29.12.2022
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/aelm.202101189
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Zitationen: 10
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für QuantenMaterialien und Technologien (IQMT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 05.2022
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2199-160X
KITopen-ID: 1000141899
HGF-Programm 47.11.03 (POF IV, LK 01) Quantum Nanoscience
Erschienen in Advanced Electronic Materials
Verlag John Wiley and Sons
Band 8
Heft 5
Seiten Art. Nr.: 2101189
Vorab online veröffentlicht am 28.12.2021
Nachgewiesen in Dimensions
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