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GaN-Based Modular Multilevel Converter for Low-Voltage Grid Enables High Efficiency

Kiehnle, Philip 1; Himmelmann, Patrick ORCID iD icon 1; Hiller, Marc 1
1 Elektrotechnisches Institut (ETI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Abstract (englisch):

Gallium Nitride (GaN) semiconductors with low inductance packages enable low switching losses and high efficiency. In this paper we present a compact arm PCB design with low loop inductance, allowing for fast and efficient switching. The PCB includes four full-bridge cells for a 7 kW Modular Multilevel Converter (MMC) for low-voltage grid applications.


Postprint §
DOI: 10.5445/IR/1000153161
Veröffentlicht am 24.07.2023
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Zitationen: 2
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Elektrotechnisches Institut (ETI)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Publikationsjahr 2022
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-90-75815-39-9
KITopen-ID: 1000153161
Erschienen in 2022 24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'22 ECCE Europe)
Veranstaltung 24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE`23 ECCE Europe 2022), Hannover, Deutschland, 05.09.2022 – 09.09.2022
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Vorab online veröffentlicht am 17.10.2022
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