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Characteristics and ultra-high total ionizing dose response of 22 nm fully depleted silicon-on-insulator

Termo, Gennaro; Borghello, Giulio; Faccio, Federico; Kloukinas, Kostas; Caselle, Michele 1; Elsenhans, Alexander Friedrich 1; Ulusoy, Ahmet Çağri 2; Koukab, Adil; Sallese, Jean-Michel
1 Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Abstract:

The radiation response of MOS transistors in a 22 nm Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FDSOI) technology exposed to ultra-high total ionizing dose (TID) was investigated. Custom structures including n- and p-channel devices with different sizes and threshold voltage flavours were irradiated with X-rays up to a TID of 100 Mrad(SiO$_2$) with different back-gate bias configurations, from -8 V to 2 V. The investigation revealed that the performance is significantly affected by TID, with the radiation response being dominated by the charge trapped in the buried oxide.


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000170013
Veröffentlicht am 18.04.2024
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/1748-0221/19/03/C03039
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Zitationen: 1
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Zitationen: 1
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 19.03.2024
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1748-0221
KITopen-ID: 1000170013
HGF-Programm 54.12.01 (POF IV, LK 01) Detection and Measurement
Erschienen in Journal of Instrumentation
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 19
Heft 03
Seiten Art.-Nr.: C03039
Schlagwörter Inspection with x-rays, Radiation damage to electronic components, Radiation-hard electronics
Nachgewiesen in Web of Science
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