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Anodization-free fabrication process for high-quality cross-type Josephson tunnel junctions based on a Nb/Al-AlO$_x$ /Nb trilayer

Adam, F. 1; Enss, C. 2; Kempf, S. 1,2
1 Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000172650
Veröffentlicht am 19.07.2024
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS)
Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 01.08.2024
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0953-2048, 1361-6668
KITopen-ID: 1000172650
HGF-Programm 54.12.01 (POF IV, LK 01) Detection and Measurement
Erschienen in Superconductor Science and Technology
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 37
Heft 8
Seiten Art.-Nr.: 085013
Vorab online veröffentlicht am 08.07.2024
Nachgewiesen in Scopus
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