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High voltage monolithic pixel sensor in 55 nm technology

Zhang, H. 1; Hirono, T. 1; Su, Y. 1; Dong, R. 1; Peric, I. ORCID iD icon 1
1 Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Abstract:

The Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS) implemented in high-voltage CMOS (HVCMOS) technology are suitable for tracking of high-energy particles in particle physics experiments. To explore performance improvements in smaller technology nodes, a prototype of the next-generation HVCMOS sensor has been done using 55 nm high-voltage technology. This technology offers the benefits of smaller feature size and reduced power consumption.


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000180608
Veröffentlicht am 31.03.2025
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/1748-0221/20/03/C03023
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Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 18.03.2025
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1748-0221
KITopen-ID: 1000180608
HGF-Programm 54.12.01 (POF IV, LK 01) Detection and Measurement
Erschienen in Journal of Instrumentation
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 20
Heft 03
Seiten Art.-Nr.: C03023
Bemerkung zur Veröffentlichung Topical Workshop on Electronics for Particle Physics

University of Glasgow, Scotland, U.K.

30 September–4 October 2024
Nachgewiesen in Dimensions
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