High voltage monolithic pixel sensor in 55 nm technology
Zhang, H. 1; Hirono, T.; Su, Y.; Dong, R.; Peric, I.
1
1 Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
11 Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Abstract:
The Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS) implemented in high-voltage CMOS (HVCMOS) technology are suitable for tracking of high-energy particles in particle physics experiments. To explore performance improvements in smaller technology nodes, a prototype of the next-generation HVCMOS sensor has been done using 55 nm high-voltage technology. This technology offers the benefits of smaller feature size and reduced power consumption.
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsdatum | 18.03.2025 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1748-0221 KITopen-ID: 1000180608 |
| Erschienen in | Journal of Instrumentation |
| Verlag | Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd) |
| Band | 20 |
| Heft | 03 |
| Seiten | Art.-Nr.: C03023 |
| Bemerkung zur Veröffentlichung | Topical Workshop on Electronics for Particle Physics University of Glasgow, Scotland, U.K. 30 September–4 October 2024 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science OpenAlex |
Seitenaufrufe: 4
seit 31.03.2025
seit 31.03.2025
Downloads: 2
seit 02.04.2025
seit 02.04.2025