Graphene on boron nitride microwave transistors driven by graphene nanoribbon back-gates
Benz, C. 1,2; Thürmer, M. 2; Wu, F. 2; Ben Aziza, Z. 2; Mohrmann, J. 2; Löhneysen, H. von 1,2,3; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Danneau, R.
1,2
1 Physikalisches Institut (PHI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Festkörperphysik (IFP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1,21 Physikalisches Institut (PHI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Festkörperphysik (IFP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Festkörperphysik (IFP) Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2013 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0003-6951, 1077-3118, 1520-8842 KITopen-ID: 110092571 |
| HGF-Programm | 43.11.02 (POF II, LK 01) Electronic transport in nanostructures |
| Erschienen in | Applied physics letters |
| Verlag | American Institute of Physics (AIP) |
| Band | 102 |
| Seiten | Art.Nr. 033505 |
| Nachgewiesen in | Web of Science OpenAlex Dimensions Scopus |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |