Abstract:
Die integrierte Optik ermöglicht die Miniaturisierung diskreter photonischer oder elektro-optischer (EO) Komponenten und die Kombination dieser Bauelemente in komplexen photonischen integrierten Schaltungen (engl. photonic integrated circuit, PIC) auf kompakten Mikrochips. Die Silizium-Photonik (SiP) ist eine sehr attraktive Plattform für die photonische Integration, da sie ausgereifte Herstellungsprozesse aus der Mikroelektronik nutzen kann. Damit eröffnet die Silizium-Photonik die Möglichkeit zur kostengünstigen Massenproduktion von photonischen Chips mit hoher Ausbeute und Reproduzierbarkeit. ... mehrDarüber hinaus erlaubt der große Brechungsindexkontrast zwischen dem als Wellenleiterkern dienendem Silizium (Si) und dem als Mantelmaterial verwendeten Siliziumdioxid die Herstellung von Wellenleitern mit kleinen Querschnitten und kleinen Krümmungsradien, was die Integrationsdichte im Vergleich zu anderen Materialplattformen erhöht. Die Silizium-Photonik hat jedoch einen entscheidenden Nachteil: Aufgrund seines inversionssymmetrischen Kristallgitters besitzt Silizium keine Nichtlinearität zweiter Ordnung. Folglich sind Bauelemente wie optische Frequenzkonverter, optische Logikgatter, verschränkte Photonenquellen und vor allem elektro-optische Modulatoren, welche auf dem Pockels-Effekt basieren, auf der SiP-Plattform nicht ohne Weiteres realisierbar. Die hybride Integration von Silzium-Nanowellenleitern mit anderen Materialien, die eine Nichtlinearität zweiter Ordnung aufweisen, ist daher für die Erweiterung des Portfolios von SiP-Bauelementen von entscheidender Bedeutung. In dieser Arbeit werden zwei Ansätze für die hybride Integration in SiP-Schaltungen untersucht.
Der erste Ansatz stütz sich auf hocheffiziente organische EO Materialien, die mit siliziumphotonischen Wellenleiterstrukturen in einem Back-End-of-Line-Prozess kombiniert werden, um sogenannte Silicon-Organic Hybrid (SOH) EO Modulatoren zu realisieren. In dieser Arbeit werden SOH-Modulatoren demonstriert, die neue Rekorde in Bezug auf Modulationseffizienz, optische Einfügungsdämpfung und demonstrierte Datenrate definieren. Darüber hinaus wird die thermische Langzeitstabilität dieser Bauelemente bei 85 °C validiert.
Der zweite Ansatz beruht auf neuartigen anorganischen Nanolaminat-Dünnfilmen, die durch Atomlagenabscheidung (ALD) gewachsen werden. Aufgrund des frühen Forschungsstadiums wurden diese Materialien nicht direkt auf SiP-Chips, sondern auf Glassubstraten gewachsen und durch die Erzeugung der zweiten Harmonischen (SHG) charakterisiert. In dieser Arbeit werden SHG-Charakterisierungstechniken für Nanolaminate untersucht und ein neues Nanolaminat vorgestellt. Perspektivisch könnte ALD allerdings auch für die Beschichtung von SiP-Chips verwendet werden. Das konforme ALD-Wachstum bietet sich hierbei an, um präzise definierte Schichtfolgen auch auf komplexen Wellenleiterstrukturen mit hoher Reproduzierbarkeit abzuscheiden.
Diese beiden Ansätze werden in der vorliegenden Arbeit näher beschrieben.
Kapitel 1 gibt eine Einführung in die integrierte Optik und erläutert die Notwendigkeit der Hybridintegration von optisch-nichtlinearen Materialien zweiter Ordnung in SiP-Schaltungen.
Kapitel 2 fasst den theoretischen Hintergrund, führt die für diese Arbeit relevanten Aspekte der nichtlinearen Optik ein und gibt einen Überblick über verschiedene Klassen von nichtlinearen Materialien zweiter Ordnung. Darüber hinaus wird der Stand der Technik von Mach-Zehnder-Modulatoren auf der SiP-Plattform vorgestellt.
In Kapitel 3 wird die sehr hohe Modulationseffizienz von SOH-Modulatoren demonstriert. Dabei wird ein Mach-Zehnder-Modulator diskutiert, bei dem das Produkt aus π-Spannung und Länge nur 0,32 Vmm beträgt. Im Vergleich zu modernsten SiP-Modulatoren stellt dieser Wert eine Verbesserung um mehr als eine Größenordnung dar. Diese hohe Effizienz ermöglicht eine optische Signalerzeugung mit einer Datenrate von 40 Gbit/s unter Verwendung sehr kleiner Peak-to-Peak Treiberspannungen von nur 140 mV$_{\rm{pp}}$.
Kapitel 4 stellt einen kompakten SOH-Modulator mit einer optischen Dämpfung des Phasenschiebers von unter 1 dB vor – dies entspricht dem niedrigsten Wert der jemals für einen ultra-schnellen SiP-Modulator veröffentlicht wurde. Der Nutzen dieses Bauteils für schnelle und effiziente optische Datenübertragung wird in einem Experiment demonstriert, bei dem vierstufige Pulsamplitudenmodulations-Signale (PAM4) bei 100 GBd erzeugt werden. Die hierfür verwendeten Treiberspannungen sind kompatibel mit typischen Spannungspegeln, die von energieeffizienten und hochgradig skalierbaren Complementary Metal-Oxide-Semiconductor-(CMOS)Bauteilen erzeugt werden können.
Kapitel 5 demonstriert die thermische Langzeitstabilität von SOH-Modulatoren gemäß den Telcordia-Normen für die Lagerung bei hohen Temperaturen. Die Bauelemente werden bei 85 °C für insgesamt 2700 h gelagert, und es zeigt sich, dass die π-Spannung nach einem schnellen anfänglichen Anstieg auf ein konstantes langzeitstabiles Niveau konvergiert. Weiterhin wird gezeigt, dass die Lagerung bei 85 °C keinen negativen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Bauteile bezüglich der optischen Datenübertragung hat. Dazu wurde eine optische Datenübertragung mit einem SOH-Bauteil durchgeführt, das zuvor für 2700 h bei 85 °C gelagert wurde. Mit dieser Demonstration wird eines der letzten verbleibenden Hindernisse auf dem Weg zum technischen Einsatz von SOH-Bauteilen adressiert: Die Stabilität der zugrundeliegenden organischen Materialien.
In Kapitel 6 werden zwei verschiedene Techniken zur Messung von SHG von anorganischen Nanolaminaten und zur Bestimmung der zugehörigen Elemente des $\chi^{(2)}$-Tensors untersucht. Die Vor- und Nachteile der beiden Methoden werden verglichen und die Quellen für Messfehler identifiziert.
Kapitel 7 stellt ein neuartiges binäres Nanolaminatmaterial vor, das auf abwechselnden Schichten aus Zinkoxid und Aluminiumoxid basiert. Die ermittelte Nichtlinearität zweiter Ordnung ist mehr als dreimal so groß wie bei zuvor veröffentlichten ternären Nanolaminaten.
Kapitel 8 fasst die Themen dieser Arbeit zusammen und gibt einen Ausblick auf zukünftige Arbeiten zu SOH-Modulatoren und Nanolaminat-Dünnfilmen.
Abstract (englisch):
Integrated optics enables the miniaturization of conventional discrete photonic or electro-optic (EO) components and the combination of these devices in advanced photonic integrated circuits (PIC) on compact micro-chips. Silicon photonics (SiP), in particular, is a highly attractive platform for photonic integration because it can use mature manufacturing processes developed for silicon (Si) microelectronics. Thus, SiP opens up the possibility for cost-effective mass production of photonic chips with high yield and reproducibility. Furthermore, the large refractive index contrast between Si waveguide cores and the silicon-dioxide cladding allows fabricating nanophotonic waveguides with small cross sections and small bending radii, thereby increasing integration density as compared to other material platforms. ... mehrHowever, silicon photonics has a distinct drawback: Due to its inversion symmetric crystal lattice, unstrained Si does not have any second-order nonlinearity. Consequently, devices like optical frequency converters, all-optical logic gates, entangled photon sources, and most importantly Pockels-type electro-optic (EO) modulators are challenging to realize in Si. Hybrid integration of materials featuring a second-order nonlinearity is hence instrumental for expanding the portfolio of SiP devices. In this work, two material approaches to hybrid integration in SiP circuits are investigated:
The first approach relies on highly efficient organic EO materials, which are combined with standard SiP chips in a back-end-of-line process to realize so-called silicon-organic hybrid (SOH) EO modulators. In this thesis, SOH devices are realized, which define new records in terms of modulation efficiency, optical insertion loss, and demonstrated data rate. Furthermore, long-term thermal stability of SOH devices at 85 ° is shown.
The second approach exploits novel inorganic nanolaminate thin-films grown by atomic layer deposition (ALD). Due to the early stage of research, these materials have not yet been grown directly on SiP chips but on glass substrates, and the performance is tested by second-harmonic generation (SHG). In this thesis, SHG characterization techniques for nanolaminates are investigated and a new nanolaminate is presented. In the future, ALD could also be used for the coating of SiP chips. The conformal ALD growth would lend itself to coating of advanced modulator geometries, which are, e.g., based on Si-slot waveguides.
These approaches are described in more detail in the following chapters.
Chapter 1 gives an introduction to integrated optics and elaborates the need for hybrid integration of second-order nonlinear materials in SiP circuits.
Chapter 2 summarizes the theoretical background of nonlinear optics as relevant to this work and gives an overview of various classes of second-order nonlinear materials. In addition, state-of-the-art SiP Mach-Zehnder modulators are reviewed.
Chapter 3 demonstrates ultra-high in-device EO activity in an SOH Mach-Zehnder modulator. The device has a π-voltage-length product of only 0.32 Vmm, outperforming standard SiP modulators by more than an order of magnitude. The high modulation efficiency allows signalling at 40 Gbit/s using small peak-to-peak drive voltages of only 140 mV$_{\rm{pp}}$.
Chapter 4 introduces a compact SOH modulator with sub-1 dB optical phase-shifter loss. This is the lowest value ever reported for a high-speed SiP modulator. The high-speed performance of the device is demonstrated by generating 4-level-pulse-amplitude-modulation-(PAM4-)signals at 100 GBd using complementary-metal-oxide-semiconductor-(CMOS-)compatible drive voltages.
Chapter 5 demonstrates long-term thermal stability of SOH modulators according to Telcordia standards for high-temperature storage. The devices are stored at 85 °C for 2700 h, and we find that the π-voltage converges to a constant long-term stable level after a rapid initial increase. High-speed signalling at 40 Gbit/s is demonstrated using a device which was stored for 2700 h at 85 °C. This demonstration addresses one of the last remaining obstacles on the way to industrial use of SOH components: The stability of the underlying organic materials.
Chapter 6 investigates two different techniques to measure SHG from inorganic nanolaminates and to determine the associated elements of the $\chi^{(2)}$ tensor. The advantages and disadvantages of the two methods are compared and the sources for measurement errors are identified.
Chapter 7 introduces a novel binary nanolaminate material based on alternating layers of zinc oxide and aluminium oxide. The determined second-order nonlinearity is more than three times larger than for previously published ternary nanolaminates.
Chapter 8 summarizes the topics of this thesis and gives an outlook for future work on SOH modulators and nanolaminate thin-films.
